49In114.82

원자번호 49 · 전이후 금속

인듐 In

다른 이름: Indium

인듐은 손톱으로도 긁힐 만큼 무른 은백색 금속이다. 산화인듐주석(ITO)의 원료로, 스마트폰 터치스크린과 평판 디스플레이의 투명 전극을 가능하게 한 숨은 주역이다. 반도체 레이저와 저온 땜납에도 쓰인다.

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주요 성질

원자번호49
원자량114.82 (CIAAW 2024 요약 표준 원자량)
분류전이후 금속
13
주기5
블록p
상태(25 °C, 1 atm)고체
녹는점429.75 K (156.6 °C)
끓는점2345 K (2071.8 °C)
밀도7.31 g/cm³
전기음성도(폴링)1.78
원자 반지름(반데르발스)193 pm
1차 이온화 에너지5.786 eV
전자 친화도0.3 eV
산화수+3
발견 연도1863

전자 배치

약식 표기
[Kr]5s2 4d10 5p1
전체 표기
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 5s2 5p1
껍질별 전자 수
2 · 8 · 18 · 18 · 3

오비탈 박스

1s2↑↓
2s2↑↓
2p6↑↓↑↓↑↓
3s2↑↓
3p6↑↓↑↓↑↓
3d10↑↓↑↓↑↓↑↓↑↓
4s2↑↓
4p6↑↓↑↓↑↓
4d10↑↓↑↓↑↓↑↓↑↓
5s2↑↓
5p1

주기율표 속 위치

발견의 역사

1863년 독일 프라이베르크 광산 아카데미의 페르디난트 라이히와 히에로니무스 테오도어 리히터는 아연 광석에서 탈륨을 찾기 위해 분광 분석을 하고 있었다.

그런데 스펙트럼에 기대하던 선 대신 이전에 알려지지 않은 선명한 남색 선이 나타났다. 라이히는 색을 잘 구별하지 못해 스펙트럼 관찰은 주로 리히터가 맡았다고 전해진다. 두 사람은 이 선을 근거로 새로운 원소를 발표했고, 이후 소량의 금속을 분리했다.

인듐은 오랫동안 쓰임새가 적은 희귀 금속이었다. 그러나 20세기 말 액정 디스플레이가 보급되면서 ITO 투명 전극의 원료로 수요가 급증했다.

이름의 유래

이름은 분광기에 나타난 남색(인디고, indigo) 스펙트럼선에서 왔다. 인디고는 라틴어로 '인도의'라는 뜻의 인디쿰(indicum)에서 온 말이다. 원소 기호는 In이다. 한국어 이름 '인듐'은 표기 변화 없이 쓰인다.

주요 용도

  • 투명 전극: 산화인듐주석(ITO)은 전기가 통하면서도 투명해 액정·OLED 디스플레이, 터치스크린, 일부 태양전지에 쓰인다. 인듐 소비의 가장 큰 몫이다.
  • 반도체: 인화인듐(InP), 인듐갈륨비소(InGaAs)는 광통신용 레이저와 수신 소자에, 인듐갈륨질화물(InGaN)은 청색·녹색 LED에 쓰인다.
  • 땜납·합금: 인듐 합금은 녹는점이 낮고 유리·세라믹에도 잘 붙어 저온 땜납, 진공 밀봉, 방열 소재로 쓰인다.
  • 원자로: 은-인듐-카드뮴 합금이 제어봉에 쓰인다.

동위원소

자연계 인듐은 안정한 인듐-113(약 4.3%)과 방사성인 인듐-115(약 95.7%)로 이루어진다. 인듐-115는 반감기가 약 4.4×10¹⁴년으로 매우 길어, 가장 많은 동위원소가 방사성인 드문 원소다. 인공 동위원소 인듐-111(반감기 약 2.8일)은 백혈구나 표지 물질에 붙여 감염 부위나 신경내분비종양을 찾는 핵의학 검사에 쓰인다.

생활 속 원소

인듐은 독자 광산이 거의 없고 아연 제련의 부산물로 회수된다. 중국이 최대 생산국이며, 대규모 아연 제련소를 가진 한국도 주요 정제 인듐 생산국으로 꼽힌다.

스마트폰과 텔레비전 화면 속에 얇은 막으로 들어 있다. 금속 인듐은 일상적인 접촉으로는 해가 적지만, ITO 가공 공장에서 인듐 화합물 분진을 오래 들이마신 작업자에게 폐 질환이 보고되어 작업장 분진 관리가 중요하다.

알아 두면 좋은 사실

  • 인듐 막대를 구부리면 주석처럼 '끽' 하는 소리가 난다.
  • 인듐은 녹는점이 약 157 °C로 낮지만, 끓는점은 2,000 °C가 넘는다.
  • 순수한 인듐은 유리에 문지르면 얇은 금속막으로 달라붙는다.

같은 족 원소 (13)

데이터 출처 · 물성: PubChem 주기율표(미국 NIH/NLM 공공 데이터) · 원자량: CIAAW 2024 요약 표준 원자량 · 원소 이름: 대한화학회 원소 이름(한국어), Wikidata(CC0). 기준일 2026-09-23.